اختلال وسواس فکری- عملی  یکی از صعب العلاج ترین اختلالات روانپزشکی است که درمان قطعی و کاملی تا کنون برای آن ارائه نشده است. اگرچه درمان های رفتاری-شناختی  و داروهای بازدارنده ی ناقل عصبی سروتونین (SSRI)اصلی ترین شیوه های مدیریت این اختلال هستند و نتایج نسبتا" مثبتی نیز تولید کرده اند، اما بیماران همچنان تا بهبود کامل و قطعی فاصله زیادی دارند. با توجه به اینکه تحقیقات صورت گرفته در زمینه منشأ بروز این اختلال تاکید ویژه ای بر روی ناهنجاری های عصبی و یا کارکردی در ساختارهای خاصی از مغز می کند. در همین راستا در سال‌های اخیر تمرکز ویژه ای بر روی تحریک ساختارهای عمیق مغز که نقش شان در بروز و استمرار این بیماری نشان داده شده به وجود آمده است، اما به دلیل تهاجمی بودن این مداخله و نیاز به عمل جراحی کامل بر روی افراد، تنها افرادی که شدیدترین نوع اختلال وسواس فکری-عملی را تجربه می کنند واجد شرایط آن هستند. با توجه به این مساله، رویکرد تحریک غیرتهاجمی مغز که مبتنی بر یافته‌های زیست-عصب شناختی باشد را می توان جایگزین منطقی رویکرد تهاجمی تحریک مغز در نظر گرفت. هدف طرح حاضر به کارگیری از روش تحریک غیرتهاجمی مغز برای کمک به بیماران مبتلا به اختلال وسواس فکری-عملی می باشد.با توجه به اینکه تحریک مکرر مغناطیسی(rTMS)  از قدرت نفوذ بیشتری نسبت به تحریک الکتریکی برخوردار است و شواهد بسیاری اثربخشی تحریک مغناطیسی در بیماری های مختلف روانپزشکی را تایید می کنند، طرح حاضر تلاشی است برای ایجاد تغییر در فعالیت دو قسمت از یک ساختار مغز (قشر اوربیتوفرونتال) که احتمالا در اختلال وسواس فکری-عملی نقش دارد.

حقوق مادی و معنوی این سایت متعلق به پژوهشکده فناوری های همگرا می باشد.
ثبت نام